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DNP sviluppa un processo di fotomascheratura per litografia EUV da 3 nm

- Rispondere alle esigenze del settore dei semiconduttori in cui le larghezze delle linee dei circuiti diventano sempre più sottili - Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912) è riuscita a sviluppare un processo di fabbricazione della fotomaschera impiegabile con il processo di litografia ultravioletta estrema (EUV) da 3 nanometri (10 -9 metri), il processo all’avanguardia per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttori. Questo comunicato stampa include contenuti multimediali…
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Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912) è riuscita a sviluppare un processo di fabbricazione della fotomaschera impiegabile con il processo di litografia ultravioletta estrema (EUV) da 3 nanometri (10-9 metri), il processo all’avanguardia per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttori.

Questo comunicato stampa include contenuti multimediali. Visualizzare l’intero comunicato qui: https://www.businesswire.com/news/home/20231205303231/it/

Photomask capable of supporting 3nm EUV lithography (Photo: Business Wire)

[Informazioni generali]

DNP risponde continuamente alle richieste dei produttori di dispositivi a semiconduttori in termini di prestazioni e qualità. Nel 2016 siamo diventati il primo produttore commerciale di fotomaschere al mondo a lanciare lo strumento di incisione di fotomaschera multifascio (MBMW, multi-beam mask writing). Nel 2020, abbiamo sviluppato un processo di fabbricazione della fotomaschera per i processi di litografia EUV da 5 nm e da allora realizziamo maschere che rispondono alle esigenze del settore dei semiconduttori.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

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