Teledyne e2v HiRel aggiunge due HEMT GaN ad alta potenza alla sua linea di prodotti da 650 V

I transistor ad alta mobilità elettronica (high electron mobility transistor, HEMT) GaN ad alta tensione per applicazioni ad elevata affidabilità sono ora disponibili in versioni a potenza ridotta da 15 A e 30 A Teledyne e2v HiRel ha aggiunto due nuovi transistor ad alta mobilità elettronica (High Electron Mobility Transistor, HEMT) GaN protetti dalla scariche alla sua linea ineguagliata nel settore di prodotti ad alta potenza da 650 volt basati sulla tecnologia di GaN Systems. questo comunicato…

Teledyne e2v HiRel ha aggiunto due nuovi transistor ad alta mobilità elettronica (High Electron Mobility Transistor, HEMT) GaN protetti dalla scariche alla sua linea ineguagliata nel settore di prodotti ad alta potenza da 650 volt basati sulla tecnologia di GaN Systems.

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I due nuovi HEMT ad alta potenza, TDG650E30B e TDG650E15B, esibiscono un’intensità di corrente di rispettivamente 30 e 15 amp, a fronte dei 60 A del modello originale TDG650E60 da 650 V lanciato l’anno scorso.

Questi HEMT GaN da 650 V esibiscono la tensione più elevata offerta dai dispositivi ad alimentazione elettrica attualmente disponibili sul mercato per applicazioni militari, avioniche e spaziali ad elevata affidabilità.

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