Cree annuncia la produzione della soluzione SiC MOSFET di seconda generazione

Il nuovo dispositivo raddoppia il valore di ampere-per-dollaro

Milano, 15/03/2013 (informazione.news - comunicati stampa - elettronica) Cree Inc (Nasdaq: CREE) annuncia il lancio del SiC MOSFET di seconda generazione che permette ai sistemi di avere una maggiore efficienza e una dimensione minore, a parità di costo con soluzioni basate sul silicio. Questi nuovi MOSFET 1200V offrono elevate prestazioni in termini di densità di potenza ed efficienza di commutazione, a metà del costo per ampere dei MOSFET Cree di generazione precedente. Con questo rapporto prezzo-prestazioni, i nuovi dispositivi consentono ai produttori di apparecchiature di raggiungere costi di sistema inferiori e forniscono ulteriori risparmi per l'utente finale, attraverso una maggiore efficienza e minori investimenti per l’installazione, grazie alle dimensioni e al peso inferiore delle soluzioni basate sul carburo di silicio.

"Abbiamo esaminato il nuovo SiC MOSFET Cree di seconda generazione nei nostri circuiti solari avanzati", ha dichiarato il Prof. Dott. Bruno Burger, noto esperto dell'industria presso il Fraunhofer-Institute di Friburgo, in Germania. "Il prodotto presenta un’efficienza d’avanguardia e consente il funzionamento del sistema a frequenze di commutazione più elevate, che si traducono nell’utilizzo di componenti passivi più piccoli, in particolare gli induttori. Ciò migliora notevolmente il compromesso costo-prestazioni negli inverter fotovoltaici, a favore di sistemi più efficienti, più leggeri e dalle dimensioni inferiori".

Le prestazioni superiori di questi nuovi SiC MOSFET consentono la riduzione delle correnti del 50-70% in alcune applicazioni ad alta potenza. Se correttamente ottimizzati, i clienti potranno godere dei vantaggi offerti dalle prestazioni del SiC a costi di sistemi uguali o inferiori rispetto alle soluzioni in silicio precedenti. Per gli inverter fotovoltaici e per i gruppi statici di continuità (UPS), il miglioramento dell'efficienza è accompagnato da riduzioni delle dimensioni e del peso. Nelle applicazioni di controllo motore, la densità di potenza può essere raddoppiata, mentre si aumenta l'efficienza e si fornisce fino a due volte la coppia massima disponibile con soluzioni al silicio di potenza simile. La gamma di offerta di prodotti è stata ampliata per includere un “die” piu’ grande da 25 mOhm, destinato al mercato dei moduli di potenza superiore (oltre i 30 kW). Il dispositivo da 80 mOhm è invece un aggiornamento dal costo inferiore e con migliori prestazioni rispetto al MOSFET di prima generazione.

"Con la nostra nuova soluzione MOSFET, abbiamo già ottenuto successi nella progettazione in diversi segmenti", ha spiegato Cengiz Balkas, Vice Presidente e General Manager della divisione Cree Power e RF. "A causa del rapido consenso riscontrato da questa seconda generazione di SiC MOSFET, stiamo spedendo volumi di pre-produzione a vari clienti prima del previsto e stiamo potenziando la produzione di volume in linea con la domanda da parte dei clienti”.

I die sono disponibili con valori di 25 mOhm, inteso come blocco funzionale di 50 A per moduli ad alta potenza, e di 80 mOhm. Il MOSFET da 80 mOhm in package To-247 è inteso come un dispositivo con prestazioni superiori e costi inferiori del CMF20120D Cree di prima generazione.

I prodotti sono già disponibili presso DigiKey, Mouser e Farnell.

Per maggiori informazioni, visitare il sito www.cree.com/power